Référence fabricantAPTCV60HM45BT3G
Fabricant / marqueMicrosemi Corporation
quantité disponible67000 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionPOWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique APTCV60HM45BT3G.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour APTCV60HM45BT3G Dans les 24 heures.

Numéro d'article
APTCV60HM45BT3G
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type d'IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Boost Chopper, Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50A
Puissance - Max
250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
3.15nF @ 25V
Contribution
Standard
Thermistance NTC
Yes
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Paquet / cas
SP3
Package de périphérique fournisseur
SP3
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
APTCV60HM45BT3G

Composants connexes fabriqués par Microsemi Corporation

Mots-clés associés pour "APTCV"

Numéro d'article Fabricant La description
APTCV40H60CT1G Microsemi Corporation IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
APTCV50H60T3G Microsemi Corporation IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
APTCV60HM45BC20T3G Microsemi Corporation POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
APTCV60HM45BT3G Microsemi Corporation POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
APTCV60HM45RCT3G Microsemi Corporation POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
APTCV60HM45RT3G Microsemi Corporation POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3