Référence fabricantMT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible201920 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Discontinued at -
Type de mémoire
Non-Volatile
Format de la mémoire
FLASH, RAM
La technologie
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Taille mémoire
4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Fréquence d'horloge
533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
-
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.8V
Température de fonctionnement
-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

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Numéro d'article Fabricant La description
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MASSFLASH/LPDDR2 6G
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology Inc. IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ