Référence fabricantMT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible189930 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Non-Volatile
Format de la mémoire
FLASH
La technologie
FLASH - NAND
Taille mémoire
4Tb (512G x 8)
Fréquence d'horloge
333MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
-
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
2.5 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

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Numéro d'article Fabricant La description
MT29E4T08CTHBBM5-3:B Micron Technology Inc. IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
MT29E4T08EYHBBG9-3:B Micron Technology Inc. IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc. IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ