Référence fabricantEDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible77170 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire
4Gb (64M x 64)
Fréquence d'horloge
533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
-
Temps d'accès
-
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.14 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TC)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
216-WFBGA
Package de périphérique fournisseur
216-WFBGA (12x12)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

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Numéro d'article Fabricant La description
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EDB4064B4PB-1D-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA