Référence fabricant70T633S12BC8
Fabricant / marqueIDT, Integrated Device Technology Inc
quantité disponible152300 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
70T633S12BC8
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
SRAM
La technologie
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire
9Mb (512K x 18)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
12ns
Temps d'accès
12ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
2.4 V ~ 2.6 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
256-LBGA
Package de périphérique fournisseur
256-CABGA (17x17)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
70T633S12BC8

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Numéro d'article Fabricant La description
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70T631S12BCI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
70T631S12BF IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T631S12BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
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