Référence fabricant70T633S10BC
Fabricant / marqueIDT, Integrated Device Technology Inc
quantité disponible186320 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
70T633S10BC
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
SRAM
La technologie
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire
9Mb (512K x 18)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
10ns
Temps d'accès
10ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
2.4 V ~ 2.6 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
256-LBGA
Package de périphérique fournisseur
256-CABGA (17x17)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
70T633S10BC

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Numéro d'article Fabricant La description
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70T3319S133BF8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
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70T3319S133BFI IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T3319S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
70T3319S133DDI IDT 70T3319S133DDI IDT IC ORIGINAL
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