Référence fabricantIPT60R080G7XTMA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible201350 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique IPT60R080G7XTMA1.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour IPT60R080G7XTMA1 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
IPT60R080G7XTMA1
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 400V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
167W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
PG-HSOF-8
Paquet / cas
8-PowerSFN
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
IPT60R080G7XTMA1

Composants connexes fabriqués par Infineon Technologies

Mots-clés associés pour "IPT60"

Numéro d'article Fabricant La description
IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
IPT60R050G7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
IPT60R125G7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
IPT60R150G7XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8