Référence fabricantIPG20N06S4L26AATMA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible178700 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N-CH 8TDSON
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IPG20N06S4L26AATMA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Puissance - Max
33W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur
PG-TDSON-8-10
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IPG20N06S4L26AATMA1

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