IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies Distributeur
Référence fabricant | IPG20N06S4L26AATMA1 |
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Fabricant / marque | Infineon Technologies |
quantité disponible | 178700 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | IPG20N06S4L26AATMA1.pdf |
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- Numéro d'article
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Caractéristique
- Logic Level Gate
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 60V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 26 mOhm @ 17A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 10µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 20nC @ 10V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1430pF @ 25V
- Puissance - Max
- 33W
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 8-PowerVDFN
- Package de périphérique fournisseur
- PG-TDSON-8-10
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IPG20N06S4L26AATMA1
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Numéro d'article | Fabricant | La description |
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