IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPG20N06S4L26AATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 178700 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPG20N06S4L26AATMA1.pdf |
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- Número de pieza
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET
- Logic Level Gate
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 60V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 26 mOhm @ 17A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 10µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 20nC @ 10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1430pF @ 25V
- Potencia - Max
- 33W
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- 8-PowerVDFN
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TDSON-8-10
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPG20N06S4L26AATMA1
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
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| IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
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| IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
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