IPD70P04P409ATMA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | IPD70P04P409ATMA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 77220 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET P-CH TO252-3 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IPD70P04P409ATMA1.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour IPD70P04P409ATMA1 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- IPD70P04P409ATMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- P-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 40V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 73A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8.9 mOhm @ 70A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 120µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 70nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 4810pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 75W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- PG-TO252-3-313
- Paquet / cas
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IPD70P04P409ATMA1
Composants connexes fabriqués par Infineon Technologies
.jpg "IR3310STRL")
Mots-clés associés pour "IPD70"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 |
| IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 |
| IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| IPD70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| IPD70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3 |
| IPD70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| IPD70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
| IPD70P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
| IPD70R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 |
| IPD70R1K4P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 |
| IPD70R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 |