IPD65R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | IPD65R1K5CEAUMA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 158590 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | IPD65R1K5CEAUMA1.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour IPD65R1K5CEAUMA1 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- IPD65R1K5CEAUMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 700V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 5.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.5 Ohm @ 1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 100µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 10.5nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 225pF @ 100V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 53W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- PG-TO252-3
- Paquet / cas
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IPD65R1K5CEAUMA1
Composants connexes fabriqués par Infineon Technologies
Mots-clés associés pour "IPD65"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 |
| IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 |
| IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 |
| IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 |
| IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 |
| IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 |