IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies Distributeur
Référence fabricant | IPB50N10S3L16ATMA1 |
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Fabricant / marque | Infineon Technologies |
quantité disponible | 90070 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | IPB50N10S3L16ATMA1.pdf |
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- Numéro d'article
- IPB50N10S3L16ATMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 15.4 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.4V @ 60µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 64nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 4180pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 100W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- PG-TO263-3-2
- Paquet / cas
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- IPB50N10S3L16ATMA1
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Mots-clés associés pour "IPB50N"
Numéro d'article | Fabricant | La description |
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IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 |
IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |