Référence fabricantFF50R12RT4HOSA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible107440 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIGBT MODULE 1200V 50A
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
FF50R12RT4HOSA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type d'IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50A
Puissance - Max
285W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
2.8nF @ 25V
Contribution
Standard
Thermistance NTC
No
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Paquet / cas
Module
Package de périphérique fournisseur
Module
Poids
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Application
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Pièce de rechange
FF50R12RT4HOSA1

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Numéro d'article Fabricant La description
FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 1200V 50A