Référence fabricantF475R12KS4BOSA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible216030 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIGBT MODULE VCES 600V 75A
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
F475R12KS4BOSA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type d'IGBT
-
Configuration
Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100A
Puissance - Max
500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
3.75V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
5.1nF @ 25V
Contribution
Standard
Thermistance NTC
Yes
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C
Type de montage
Chassis Mount
Paquet / cas
Module
Package de périphérique fournisseur
Module
Poids
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Application
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Pièce de rechange
F475R12KS4BOSA1

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Mots-clés associés pour "F475R"

Numéro d'article Fabricant La description
F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
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F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
F475R12KS4BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A