Référence fabricantBSM30GP60BOSA1
Fabricant / marqueInfineon Technologies
quantité disponible172130 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
BSM30GP60BOSA1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
Type d'IGBT
-
Configuration
Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50A
Puissance - Max
180W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max)
300nA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
1.6nF @ 25V
Contribution
Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC
Yes
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C
Type de montage
Chassis Mount
Paquet / cas
Module
Package de périphérique fournisseur
Module
Poids
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Application
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Pièce de rechange
BSM30GP60BOSA1

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Mots-clés associés pour "BSM3"

Numéro d'article Fabricant La description
BSM300D12P2E001 Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 1200V 300A
BSM300GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 62MM-2
BSM300GA120DLCSHOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 62MM-2
BSM300GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 62MM-2
BSM300GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 62MM-2
BSM300GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 62MM-1
BSM300GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 62MM-1
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BSM30GP60BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
BSM35GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 34MM-1
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2