BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | BSB056N10NN3GXUMA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 197670 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | BSB056N10NN3GXUMA1.pdf |
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- Numéro d'article
- BSB056N10NN3GXUMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 9A (Ta), 83A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.6 mOhm @ 30A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 100µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 74nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 5500pF @ 50V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 2.8W (Ta), 78W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- MG-WDSON-2, CanPAK M™
- Paquet / cas
- 3-WDSON
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- BSB056N10NN3GXUMA1
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Mots-clés associés pour "BSB056"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 |