Référence fabricantGD5F1GQ4UFYIGR
Fabricant / marqueGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
quantité disponible185970 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionSPI NAND FLASH
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
GD5F1GQ4UFYIGR
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Non-Volatile
Format de la mémoire
FLASH
La technologie
FLASH - NAND
Taille mémoire
1Gb (128M x 8)
Fréquence d'horloge
120MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
700µs
Temps d'accès
-
Interface de mémoire
SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation
2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur
8-WSON (6x8)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
GD5F1GQ4UFYIGR

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Numéro d'article Fabricant La description
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