Référence fabricantMB85R4M2TFN-G-ASE1
Fabricant / marqueFujitsu Electronics America, Inc.
quantité disponible44510 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Non-Volatile
Format de la mémoire
FRAM
La technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire
4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge
-
Écrire un temps de cycle - Word, Page
150ns
Temps d'accès
150ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.8 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur
44-TSOP
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MB85R4M2TFN-G-ASE1

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Numéro d'article Fabricant La description
MB85R4001ANC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP
MB85R4002ANC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP
MB85R4M2TFN-G-ASE1 Fujitsu Electronics America, Inc. IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP