DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated Distributeur
| Référence fabricant | DMT10H014LSS-13 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Diodes Incorporated |
| quantité disponible | 142880 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | DMT10H014LSS-13.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour DMT10H014LSS-13 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- DMT10H014LSS-13
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 100V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 8.9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 15 mOhm @ 20A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 33.3nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1871pF @ 50V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 1.2W (Ta)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 8-SO
- Paquet / cas
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- DMT10H014LSS-13
Composants connexes fabriqués par Diodes Incorporated
Mots-clés associés pour "DMT10"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB |
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 |
| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A |
| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 |
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO |
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 |
| DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A |