Référence fabricantDMHC6070LSD-13
Fabricant / marqueDiodes Incorporated
quantité disponible207990 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
DMHC6070LSD-13
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique
Standard
Drain à la tension de source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
731pF @ 20V
Puissance - Max
1.6W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur
8-SO
Poids
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Application
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Pièce de rechange
DMHC6070LSD-13

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Numéro d'article Fabricant La description
DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
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