Número de pieza del fabricanteW947D2HBJX5I
Fabricante / MarcaWinbond Electronics
Cantidad disponible50240 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
W947D2HBJX5I
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño de la memoria
128Mb (4M x 32)
Frecuencia de reloj
200MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
15ns
Tiempo de acceso
5ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
90-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
90-VFBGA (8x13)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
W947D2HBJX5I

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Número de pieza Fabricante Descripción
W947D2HBJX5E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX5I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
W947D6HBHX5E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX5I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX6E Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA