Número de pieza del fabricanteW9412G6JH-4
Fabricante / MarcaWinbond Electronics
Cantidad disponible82240 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
W9412G6JH-4
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - DDR
Tamaño de la memoria
128Mb (8M x 16)
Frecuencia de reloj
250MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
12ns
Tiempo de acceso
48ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
2.4 V ~ 2.7 V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
66-TSOP II
Peso
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Solicitud
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Repuesto
W9412G6JH-4

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Número de pieza Fabricante Descripción
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W9412G6IH-5 Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
W9412G6JH-4 Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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W9412G6KH-4 Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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W9412G6KH-5 TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
W9412G6KH-5I Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
W9412G6KH-5I TR Winbond Electronics IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II