Número de pieza del fabricanteSIR892DP-T1-GE3
Fabricante / MarcaVishay Siliconix
Cantidad disponible102010 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
SIR892DP-T1-GE3
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2645pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / caja
PowerPAK® SO-8
Peso
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Solicitud
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Repuesto
SIR892DP-T1-GE3

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Número de pieza Fabricante Descripción
SIR890DP VISHAY N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIR890DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIR892AK VISHAY SIR892AK original vishay components
SIR892DP VISHAY SIR892DP original vishay components
SIR892DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8