;;3.jpg)
SIHU6N65E-GE3 Vishay Siliconix Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | SIHU6N65E-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Siliconix |
| Cantidad disponible | 141960 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | SIHU6N65E-GE3.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de SIHU6N65E-GE3 en 24 horas.
- Número de pieza
- SIHU6N65E-GE3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 650V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 600 mOhm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 48nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 820pF @ 100V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 78W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- IPAK (TO-251)
- Paquete / caja
- TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SIHU6N65E-GE3
Componentes relacionados hechos por Vishay Siliconix
Palabras clave relacionadas para "SIHU"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK |
| SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
| SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
| SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK |
| SIHU4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
| SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
| SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK |
| SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 |
| SIHU6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK |
| SIHU6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
| SIHU7N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |
| SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 |