SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | SI9926BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Vishay Siliconix |
| Cantidad disponible | 111640 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | SI9926BDY-T1-GE3.pdf |
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- Número de pieza
- SI9926BDY-T1-GE3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET
- Logic Level Gate
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 20V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 6.2A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 20nC @ 4.5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Potencia - Max
- 1.14W
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 8-SO
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- SI9926BDY-T1-GE3
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