TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | TPC6012(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Cantidad disponible | 121820 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TPC6012(TE85L,F,M).pdf |
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- Número de pieza
- TPC6012(TE85L,F,M)
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 20V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 20 mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 200µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 9nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 630pF @ 10V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 700mW (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- VS-6 (2.9x2.8)
- Paquete / caja
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- TPC6012(TE85L,F,M)
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| TPC6010-H(TE85L,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6 |
| TPC6011(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 6A VS6 |
| TPC6012(TE85L,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 |