Número de pieza del fabricanteTK32E12N1,S1X
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible162060 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N CH 120V 60A TO-220
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos TK32E12N1,S1X.pdf

Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de TK32E12N1,S1X en 24 horas.

Número de pieza
TK32E12N1,S1X
Estado de producción (ciclo de vida)
Contact us
Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 60V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
98W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / caja
TO-220-3
Peso
Contact us
Solicitud
Email for details
Repuesto
TK32E12N1,S1X

Componentes relacionados hechos por Toshiba Semiconductor and Storage

Palabras clave relacionadas para "TK32"

Número de pieza Fabricante Descripción
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 120V 60A TO-220