Número de pieza del fabricanteTK31J60W,S1VQ
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible24980 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
TK31J60W,S1VQ
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Característica FET
Super Junction
Disipación de potencia (Máx)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P(N)
Paquete / caja
TO-3P-3, SC-65-3
Peso
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Solicitud
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Repuesto
TK31J60W,S1VQ

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