TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | TK100L60W,VQ |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Cantidad disponible | 59540 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N CH 600V 100A TO3PL |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TK100L60W,VQ.pdf |
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- Número de pieza
- TK100L60W,VQ
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 600V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 100A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 18 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.7V @ 5mA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 360nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 15000pF @ 30V
- Característica FET
- Super Junction
- Disipación de potencia (Máx)
- 797W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-3P(L)
- Paquete / caja
- TO-3PL
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- TK100L60W,VQ
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
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| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
| TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 |
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