GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | GT10J312(Q) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Cantidad disponible | 170230 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| categoria de producto | Transistores - IGBT - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GT10J312(Q).pdf |
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- Número de pieza
- GT10J312(Q)
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de IGBT
-
- Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
- 600V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 10A
- Corriente - colector pulsado (Icm)
- 20A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- Potencia - Max
- 60W
- Conmutación de energía
-
- Tipo de entrada
- Standard
- Cargo de puerta
-
- Td (encendido / apagado) a 25 ° C
- 400ns/400ns
- Condición de prueba
- 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 200ns
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-220SM
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- GT10J312(Q)
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