Número de pieza del fabricanteTC58NYG1S3HBAI6
Fabricante / MarcaToshiba Memory America, Inc.
Cantidad disponible31080 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
TC58NYG1S3HBAI6
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de memoria
FLASH
Tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria
2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj
-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
25ns
Tiempo de acceso
25ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
67-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
67-VFBGA (6.5x8)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
TC58NYG1S3HBAI6

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Número de pieza Fabricante Descripción
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