Número de pieza del fabricanteSCT30N120
Fabricante / MarcaSTMicroelectronics
Cantidad disponible118660 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
SCT30N120
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 400V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
270W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor
HiP247™
Paquete / caja
TO-247-3
Peso
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Solicitud
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Repuesto
SCT30N120

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