Número de pieza del fabricanteMT47R256M4CF-25E:H
Fabricante / MarcaMicron Technology Inc.
Cantidad disponible150850 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
MT47R256M4CF-25E:H
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria
1Gb (256M x 4)
Frecuencia de reloj
400MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
15ns
Tiempo de acceso
400ps
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.55 V ~ 1.9 V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
60-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
60-FBGA (8x10)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
MT47R256M4CF-25E:H

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Número de pieza Fabricante Descripción
MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47R256M8EB-25E:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA