MT47H512M8WTR-25E:C Micron Technology Inc. Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | MT47H512M8WTR-25E:C |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Micron Technology Inc. |
| Cantidad disponible | 23500 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |
| categoria de producto | Memoria |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MT47H512M8WTR-25E:C.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de MT47H512M8WTR-25E:C en 24 horas.
- Número de pieza
- MT47H512M8WTR-25E:C
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de memoria
- Volatile
- Formato de memoria
- DRAM
- Tecnología
- SDRAM - DDR2
- Tamaño de la memoria
- 4Gb (512M x 8)
- Frecuencia de reloj
- 400MHz
- Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
- 15ns
- Tiempo de acceso
- 400ps
- interfaz de memoria
- Parallel
- Suministro de voltaje
- 1.7 V ~ 1.9 V
- Temperatura de funcionamiento
- 0°C ~ 85°C (TC)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- 63-TFBGA
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 63-FBGA (9x11.5)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- MT47H512M8WTR-25E:C
Componentes relacionados hechos por Micron Technology Inc.
Palabras clave relacionadas para "MT47H5"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
| MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M8WTR-25E:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |
| MT47H512M8WTR-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |