Número de pieza del fabricanteMT41J512M4HX-15E:D
Fabricante / MarcaMicron Technology Inc.
Cantidad disponible159580 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
MT41J512M4HX-15E:D
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - DDR3
Tamaño de la memoria
2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj
667MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
13.5ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.425 V ~ 1.575 V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
78-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
78-FBGA (9x11.5)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
MT41J512M4HX-15E:D

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Número de pieza Fabricante Descripción
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MT41J512M8THD-15E:D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
MT41J512M8THD-187E:D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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