Número de pieza del fabricanteEDB4416BBBH-1DIT-F-D
Fabricante / MarcaMicron Technology Inc.
Cantidad disponible193480 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
EDB4416BBBH-1DIT-F-D
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria
4Gb (256M x 16)
Frecuencia de reloj
533MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
-
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.14 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
134-WFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
134-FBGA (10x11.5)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

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Número de pieza Fabricante Descripción
EDB4416BBBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA