Número de pieza del fabricanteECF840AAACN-C2-Y3
Fabricante / MarcaMicron Technology Inc.
Cantidad disponible114990 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 8G PARALLEL
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
ECF840AAACN-C2-Y3
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile LPDDR3
Tamaño de la memoria
8Gb (512M x 16)
Frecuencia de reloj
-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
-
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.14 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
-
Paquete / caja
-
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Peso
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Solicitud
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Repuesto
ECF840AAACN-C2-Y3

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Número de pieza Fabricante Descripción
ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL
ECF840AAACN-C2-Y3 Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL