Número de pieza del fabricanteIS42RM32160E-75BLI-TR
Fabricante / MarcaISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Cantidad disponible96140 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
categoria de productoMemoria
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IS42RM32160E-75BLI-TR
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile
Tamaño de la memoria
512Mb (16M x 32)
Frecuencia de reloj
133MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
6ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
2.3 V ~ 3 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
90-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
90-TFBGA (8x13)
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IS42RM32160E-75BLI-TR

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Número de pieza Fabricante Descripción
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IS42RM32160C-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IS42RM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
IS42RM32160E-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
IS42RM32160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
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