Número de pieza del fabricanteSPI07N60C3HKSA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible110990 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SPI07N60C3HKSA1.pdf

Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de SPI07N60C3HKSA1 en 24 horas.

Número de pieza
SPI07N60C3HKSA1
Estado de producción (ciclo de vida)
Contact us
Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO262-3-1
Paquete / caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso
Contact us
Solicitud
Email for details
Repuesto
SPI07N60C3HKSA1

Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies

Palabras clave relacionadas para "SPI07"

Número de pieza Fabricante Descripción
SPI07N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
SPI07N60C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
SPI07N60S5HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
SPI07N65C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262