Número de pieza del fabricanteIPS110N12N3GBKMA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible47700 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos IPS110N12N3GBKMA1.pdf

Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de IPS110N12N3GBKMA1 en 24 horas.

Número de pieza
IPS110N12N3GBKMA1
Estado de producción (ciclo de vida)
Contact us
Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso
Contact us
Solicitud
Email for details
Repuesto
IPS110N12N3GBKMA1

Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies

Palabras clave relacionadas para "IPS11"

Número de pieza Fabricante Descripción
IPS110N12N3GBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
IPS118N10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3