IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPD60R180P7ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 141560 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPD60R180P7ATMA1.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de IPD60R180P7ATMA1 en 24 horas.
- Número de pieza
- IPD60R180P7ATMA1
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 650V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 180 mOhm @ 5.6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 280µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1081pF @ 400V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 72W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TO252-3
- Paquete / caja
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPD60R180P7ATMA1
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
Palabras clave relacionadas para "IPD60"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A |
| IPD600N25N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 |
| IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 |
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 |
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER |
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |