IPC302N20N3X1SA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPC302N20N3X1SA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 66750 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPC302N20N3X1SA1.pdf |
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- Número de pieza
- IPC302N20N3X1SA1
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 200V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 1A (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 100 mOhm @ 2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 260µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
- Vgs (Max)
-
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
-
- Temperatura de funcionamiento
-
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- Sawn on foil
- Paquete / caja
- Die
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPC302N20N3X1SA1
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
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| IPC302N15N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N15N3X7SA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS |
| IPC302N20N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
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| IPC302N25N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL |