IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPB011N04LGATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 105230 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPB011N04LGATMA1.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de IPB011N04LGATMA1 en 24 horas.
- Número de pieza
- IPB011N04LGATMA1
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 40V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.1 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 200µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 346nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 29000pF @ 20V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 250W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TO263-7-3
- Paquete / caja
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPB011N04LGATMA1
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
Palabras clave relacionadas para "IPB01"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 |
| IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 |
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 |
| IPB017N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 |