IDC08S120EX1SA3 Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IDC08S120EX1SA3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 158520 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IDC08S120EX1SA3.pdf |
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- Número de pieza
- IDC08S120EX1SA3
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de diodo
- Silicon Carbide Schottky
- Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)
- 1200V
- Corriente - promedio rectificado (Io)
- 7.5A (DC)
- Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
- 1.8V @ 7.5A
- Velocidad
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 0ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 180µA @ 1200V
- Capacitancia @ Vr, F
- 380pF @ 1V, 1MHz
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- Die
- Paquete de dispositivo del proveedor
- Sawn on foil
- Temperatura de funcionamiento - unión
- -55°C ~ 175°C
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IDC08S120EX1SA3
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IDC08D120T6MX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER |
| IDC08S120EX1SA3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| IDC08S120EX7SA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER |
| IDC08S60CEX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
| IDC08S60CEX1SA3 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
| IDC08S60CEX7SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER |