Número de pieza del fabricanteBSZ120P03NS3GATMA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible110110 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
BSZ120P03NS3GATMA1
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.1V @ 73µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3360pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
2.1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / caja
8-PowerTDFN
Peso
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Solicitud
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Repuesto
BSZ120P03NS3GATMA1

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Número de pieza Fabricante Descripción
BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8