GP1M009A050HS Global Power Technologies Group Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | GP1M009A050HS |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Global Power Technologies Group |
| Cantidad disponible | 47300 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GP1M009A050HS.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de GP1M009A050HS en 24 horas.
- Número de pieza
- GP1M009A050HS
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 500V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 8.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 850 mOhm @ 4.25A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 24nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1195pF @ 25V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 127W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-220
- Paquete / caja
- TO-220-3
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- GP1M009A050HS
Componentes relacionados hechos por Global Power Technologies Group
;;3.jpeg "GP1M003A080PH")
Palabras clave relacionadas para "GP1M"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F |
| GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 |
| GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
| GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F |
| GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 |
| GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
| GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK |
| GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |