GP2M009A090NG Global Power Technologies Group Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | GP2M009A090NG |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Global Power Technologies Group |
| Cantidad disponible | 106680 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | GP2M009A090NG.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de GP2M009A090NG en 24 horas.
- Número de pieza
- GP2M009A090NG
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 900V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 72nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2740pF @ 25V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 312W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-3PN
- Paquete / caja
- TO-3P-3, SC-65-3
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- GP2M009A090NG
Componentes relacionados hechos por Global Power Technologies Group
;;3.jpeg "GP2M002A065PG")
Palabras clave relacionadas para "GP2M"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
| GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F |
| GP2M002A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 |
| GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A |
| GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK |
| GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F |
| GP2M002A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 |
| GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK |
| GP2M004A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK |
| GP2M004A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F |
| GP2M004A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 |
| GP2M004A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK |