EPC2108ENGRT EPC Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| Fabricante / Marca | EPC |
| Cantidad disponible | 199270 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | TRANSISTOR GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | EPC2108ENGRT.pdf |
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- Número de pieza
- EPC2108ENGRT
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
- Característica FET
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 60V, 100V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 1.7A, 500mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
- Potencia - Max
-
- Temperatura de funcionamiento
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- 9-VFBGA
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 9-BGA (1.35x1.35)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- EPC2108ENGRT
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