Número de pieza del fabricanteEPC2010C
Fabricante / MarcaEPC
Cantidad disponible42380 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónTRANSISTOR GAN 200V 22A BUMPED DIE
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
EPC2010C
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
22A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.3nC @ 5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
Die Outline (7-Solder Bar)
Paquete / caja
Die
Peso
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Solicitud
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Repuesto
EPC2010C

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