EPC2100ENGRT EPC Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | EPC2100ENGRT |
|---|---|
| Fabricante / Marca | EPC |
| Cantidad disponible | 85770 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | EPC2100ENGRT.pdf |
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- Número de pieza
- EPC2100ENGRT
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Característica FET
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 30V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 10A (Ta), 40A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
- Potencia - Max
-
- Temperatura de funcionamiento
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete / caja
- Die
- Paquete de dispositivo del proveedor
- Die
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- EPC2100ENGRT
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
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| EPC2 | ALTERA (INTEL) | SRAM-Based LUT Devices IC |
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| EPC2010 | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| EPC2010C | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 22A BUMPED DIE |
| EPC2012 | EPC | TRANSISTOR GAN 200V 3A BUMPED DIE |
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